25.11.2021
Yokohama, Japan (ots/PRNewswire) -
Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited hat den neuen 8Mbit FRAM MB85R8M2TA mit paralleler Schnittstelle auf den Markt gebracht, der als erstes Produkt in der FRAM-Produktfamilie von Fujitsu 100 Billionen Lese-/Schreib-Zykluszeiten garantiert. Evaluierungsmuster sind derzeit verfügbar.
URL: https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/fram/device/parallel-8m-mb85r8m2ta.html
Abb.1 - MB85R8M2TA-Gehäuse:
https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202111113210/_prw_PI4fl_1D8dFJht.jpg
FRAM ist ein nichtflüchtiger Speicher, der sich durch eine hohe Lese-/Schreibbeständigkeit, eine hohe Schreibgeschwindigkeit und einen geringen Stromverbrauch auszeichnet und seit über 20 Jahren in Massenproduktion hergestellt wird.
URL: https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/fram/features/
Der MB85R8M2TA mit SRAM-kompatibler Parallelschnittstelle arbeitet mit einem weiten Versorgungsspannungsbereich von 1,8 V bis 3,6 V. Mit einer Betriebszeit von bis zu 25 ns im Fast-Page-Modus ist die Zugriffsgeschwindigkeit des neuen FRAM so hoch wie die von SRAM bei kontinuierlicher Datenübertragung. Im Vergleich zu den herkömmlichen Produkten von Fujitsu werden sowohl Hochgeschwindigkeitsoperationen (ca. 30 % schnellere Zugriffsgeschwindigkeit) als auch eine geringe Leistungsaufnahme (10 % weniger Betriebsstrom) erreicht. Dieser Speicher-IC ist ein idealer Ersatz für SRAM in Industriemaschinen, die mit hoher Geschwindigkeit arbeiten müssen.
Abb.2 - Beispiel für die Verwendung von FRAM:
https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202111113210/_prw_PI3fl_sEuZ53MK.jpg
Abb.3 - Stromvergleich:
https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202111113210/_prw_PI2fl_eSN8P9bQ.jpg
Aus den oben genannten Merkmalen bietet das neue 8-Mbit-FRAM bietet den Kunden den Vorteil, dass die für SRAM in einigen Fällen erforderliche Daten-Backup-Batterie entfällt.
Abb.4 - Probleme und Lösungen beim Ersetzen von SRAM durch nichtflüchtigen Speicher:
https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202111113210/_prw_PI1fl_SfW38Sm1.jpg
Fujitsu Semiconductor Memory Solution ist bestrebt, durch die Entwicklung von Hochleistungsprodukten einen Beitrag zur nachhaltigen Gesellschaft zu leisten. So arbeitet das Unternehmen beispielsweise weiter an der Entwicklung von FRAM-Produkten mit geringem Stromverbrauch. Durch die Verringerung des Stromverbrauchs sollen die CO2-Emissionen gesenkt werden, damit weniger Treibhausgase entstehen.
Fujitsu wird weiterhin die Bedürfnisse und Anforderungen des Marktes und der Kunden erfüllen und umweltfreundliche Speicherprodukte entwickeln.
Informationen zu Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited
Fujitsu Semiconductor Memory Solution konzentriert sich auf hochwertige und äußerst zuverlässige nichtflüchtige Speicher wie Ferroelectric Random-Access Memory (FRAM) und Resistive Random-Access Memory (ReRAM). Es hat seinen Hauptsitz in Yokohama und wurde am 31. März 2020 als Tochtergesellschaft von Fujitsu Semiconductor Limited gegründet.
Durch sein globales Vertriebs- und Entwicklungsnetzwerk mit Standorten in Japan und in ganz Asien, Europa und Amerika bietet das Unternehmen Halbleiterspeicherlösungen für den weltweiten Markt an. Weitere Informationen finden Sie unter: https://www.fujitsu.com/jp/fsm/en/
Michio UMETSU
Marketing Department
Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited
Tel: +81-45-755-7035
E-Mail: fsm-web-inquiry@dl.jp.fujitsu.com
Original-Content von: Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited, übermittelt durch news aktuell
Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited hat den neuen 8Mbit FRAM MB85R8M2TA mit paralleler Schnittstelle auf den Markt gebracht, der als erstes Produkt in der FRAM-Produktfamilie von Fujitsu 100 Billionen Lese-/Schreib-Zykluszeiten garantiert. Evaluierungsmuster sind derzeit verfügbar.
URL: https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/fram/device/parallel-8m-mb85r8m2ta.html
Abb.1 - MB85R8M2TA-Gehäuse:
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FRAM ist ein nichtflüchtiger Speicher, der sich durch eine hohe Lese-/Schreibbeständigkeit, eine hohe Schreibgeschwindigkeit und einen geringen Stromverbrauch auszeichnet und seit über 20 Jahren in Massenproduktion hergestellt wird.
URL: https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/fram/features/
Der MB85R8M2TA mit SRAM-kompatibler Parallelschnittstelle arbeitet mit einem weiten Versorgungsspannungsbereich von 1,8 V bis 3,6 V. Mit einer Betriebszeit von bis zu 25 ns im Fast-Page-Modus ist die Zugriffsgeschwindigkeit des neuen FRAM so hoch wie die von SRAM bei kontinuierlicher Datenübertragung. Im Vergleich zu den herkömmlichen Produkten von Fujitsu werden sowohl Hochgeschwindigkeitsoperationen (ca. 30 % schnellere Zugriffsgeschwindigkeit) als auch eine geringe Leistungsaufnahme (10 % weniger Betriebsstrom) erreicht. Dieser Speicher-IC ist ein idealer Ersatz für SRAM in Industriemaschinen, die mit hoher Geschwindigkeit arbeiten müssen.
Abb.2 - Beispiel für die Verwendung von FRAM:
https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202111113210/_prw_PI3fl_sEuZ53MK.jpg
Abb.3 - Stromvergleich:
https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202111113210/_prw_PI2fl_eSN8P9bQ.jpg
Aus den oben genannten Merkmalen bietet das neue 8-Mbit-FRAM bietet den Kunden den Vorteil, dass die für SRAM in einigen Fällen erforderliche Daten-Backup-Batterie entfällt.
Abb.4 - Probleme und Lösungen beim Ersetzen von SRAM durch nichtflüchtigen Speicher:
https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202111113210/_prw_PI1fl_SfW38Sm1.jpg
Fujitsu Semiconductor Memory Solution ist bestrebt, durch die Entwicklung von Hochleistungsprodukten einen Beitrag zur nachhaltigen Gesellschaft zu leisten. So arbeitet das Unternehmen beispielsweise weiter an der Entwicklung von FRAM-Produkten mit geringem Stromverbrauch. Durch die Verringerung des Stromverbrauchs sollen die CO2-Emissionen gesenkt werden, damit weniger Treibhausgase entstehen.
Fujitsu wird weiterhin die Bedürfnisse und Anforderungen des Marktes und der Kunden erfüllen und umweltfreundliche Speicherprodukte entwickeln.
Informationen zu Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited
Fujitsu Semiconductor Memory Solution konzentriert sich auf hochwertige und äußerst zuverlässige nichtflüchtige Speicher wie Ferroelectric Random-Access Memory (FRAM) und Resistive Random-Access Memory (ReRAM). Es hat seinen Hauptsitz in Yokohama und wurde am 31. März 2020 als Tochtergesellschaft von Fujitsu Semiconductor Limited gegründet.
Durch sein globales Vertriebs- und Entwicklungsnetzwerk mit Standorten in Japan und in ganz Asien, Europa und Amerika bietet das Unternehmen Halbleiterspeicherlösungen für den weltweiten Markt an. Weitere Informationen finden Sie unter: https://www.fujitsu.com/jp/fsm/en/
Pressekontakt:
Michio UMETSU
Marketing Department
Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited
Tel: +81-45-755-7035
E-Mail: fsm-web-inquiry@dl.jp.fujitsu.com
Original-Content von: Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited, übermittelt durch news aktuell
